Power Integrations专有的1250V PowiGaN技能的开关损耗不到相同电压下平等硅器材开关损耗的三分之一。这使得功率改换的功率可以到达93%，然后有助于完成高紧凑度的反激式电源规划。在高达85W输出功率的情况下无需散热片。

  Power Integrations技能副总裁Radu Barsan表明：“Power Integrations不断将高压氮化镓技能的开发和商业运用推动至业界顶配水平。这乃至筛选了业界最好的高压硅MOSFET的运用。咱们于2019年即率先向商场大批量出货了根据氮化镓的电源IC产品，并于本年早一点的时分推出了根据氮化镓的900V的InnoSwitch新品。咱们持续开发更高电压的氮化镓技能，比方本次推出的1250V新品。咱们致力于将氮化镓的功率优势扩展到更广泛的运用范畴，包含现在运用碳化硅技能的运用范畴。”

  规划人员在运用新款InnoSwitch3-EP 1250VIC时，可以十分放心肠清晰其规划可以作业于1000V的峰值作业电压，因为1250V的肯定最大值可以彻底满意80%的职业降额规范。这为工业运用供给了巨大的裕量，特别是对那些具有挑战性电网环境的运用特别重要。因为在这种环境下，耐用性是抵挡电网动摇、浪涌以及其他电力扰动的重要防护手法。

  。JFM超长行程直线模组在TFT、LED、OLED、AMOLED超大五颜六色液晶屏、显示屏、背光屏的转移包装职业运用画上了完美

  兼首席执行官John Croteau表明：“本协议是咱们引领射频工业向硅上

  、高功率、高功率的微电子、电力电子、光电子等器材方面的领头羊。『三点半说』经多方专家点拨查验，特

  发布InnoSwitch3-PD参阅规划，适用于超紧凑型USB Type C、PD + PPS适配器

  规划的100W USB PD充电器，一共仅运用117个元件深耕于高压集成电路高能效功率转化范畴的闻名公司

  ”的电路构件，即一个能将最小能量的数字信号，转化为无损功率传输的电路构件。 纳微半导体使用横向650

  的禁带宽度为3.4 eV。因为宽禁带资料具有高电场强度，耗尽区窄短，然后可以开宣告载流子浓度十分高的器材结构。例如，一个典型的650

  相同导通电阻和额外电压的硅功率MOSFET比较，其价格更低 。从那时起，产值持续提高、

  美国加利福尼亚州圣何塞，2015年1月28日讯 — 用于高能效电源转化的高压集成电路业界的领导者

  公司（纳斯达克股票代号：POWI）今天发布LinkSwitch™-4系列恒压/恒流初级侧调理（PSR）

  Cognite宣告为Celanese的克利尔湖工厂推出生成式人工智能长途操作控制室Beta测试版

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